| 型号： | ZVN2110GTA | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| ZVN2110GTA PDF |  |
| 其它图纸 | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 75pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | ZVN2110GDKR |